2SK3018W N-Channel Power MOSFET SOT-323

Το N-Channel MOSFET έχει Vdss 30V και μέγιστο Id 3A. Το RDS(on) του είναι 8Ω στα 10V Vgs με Id 3A. Η τάση κατωφλίου (Vgs(th)) είναι 1.5V στα 250μA και υποστηρίζει μέγιστη κατανάλωση ισχύος (Pd) 350mW.

● Χαμηλή χωρητικότητα εισόδου
● Γρήγορη ταχύτητα εναλλαγής
● Χαμηλή διαρροή εισόδου / εξόδου

Κατεβάστε το δελτίο δεδομένων Ερώτηση

λεπτομέρειες προιόντος Απόδειξη με έγγραφα Υποστήριξη

Σύνοψη προϊόντος
● V_DS 30V
● Εγώ_D 300mA
R_DS(ON)(στο V_GS=10V) ＜8.0ohm
R_DS(ON)(στο V_GS=4.5V) ＜13.0ohm
● Προστασία ESD έως 2.5KV (HBM)

Γενική περιγραφή
● Τεχνολογία Trench Power MV MOSFET
● Μικρός διακόπτης σήματος με ελεγχόμενη τάση
● Χαμηλή χωρητικότητα εισόδου
● Γρήγορη ταχύτητα εναλλαγής
● Χαμηλή διαρροή εισόδου/εξόδου

Εφαρμογές
● Συστήματα που λειτουργούν με μπαταρίες
● Ρελέ στερεάς κατάστασης
● Απευθείας διεπαφή σε επίπεδο λογικής：TTL/CMOS

Όνομα αρχείου	Τίτλος	Περιγραφή
2SK3018W SOT-323.pdf	2SK3018W SOT-323	MOSFET ισχύος N-καναλιού
SL250N04Q-PDFN56.pdf	SL250N04Q PDFN56	-
Πρόταση-65-Έκθεση-Συμμόρφωσης_1.pdf	Έκθεση Συμμόρφωσης Πρότασης 65_1	-
REACH.pdf	Το REACH	-
Πρόταση-65-Έκθεση-Συμμόρφωσης_2.pdf	Έκθεση Συμμόρφωσης Πρότασης 65_2	-

Datasheet

Μάθε περισσότερα

Υποστήριξη

Εάν χρειάζεστε υποστήριξη σχεδιασμού/τεχνικής υποστήριξης, ενημερώστε μας και συμπληρώστεΦόρμα ΑπάντησηςΘα επικοινωνήσουμε μαζί σας το συντομότερο δυνατό.

Μακροβιότητα

Το Πρόγραμμα Μακροζωίας στοχεύει στην παροχή πληροφοριών στους πελάτες μας κατά καιρούς σχετικά με τον αναμενόμενο χρόνο παραγγελίας των προϊόντων μας. Το NLP αναθεωρείται και ενημερώνεται τακτικά από την εκτελεστική ομάδα διαχείρισης. Δείτε τοπρόγραμμα μακροζωίαςεδώ.