Εμφάνιση τρισδιάστατου μοντέλου
Γραμμή εξυπηρέτησης
+ 86 0755-83044319
● Χαμηλή αντίσταση ενεργοποίησης
● Γρήγορη ταχύτητα εναλλαγής
● Η μονάδα χαμηλής τάσης καθιστά αυτή τη συσκευή ιδανική για φορητό εξοπλισμό
Περιγραφή:
Το N-Channel MOSFET μας έχει σχεδιαστεί για αξιόπιστη και αποτελεσματική εναλλαγή σε ένα συμπαγές πακέτο. Αυτό το MOSFET είναι βελτιστοποιημένο για εφαρμογές χαμηλής τάσης, εξασφαλίζοντας στιβαρή απόδοση και ελάχιστη απώλεια ισχύος.
Χαρακτηριστικά:
● Χαμηλή αντίσταση
● Γρήγορη ταχύτητα εναλλαγής
● Η μετάδοση κίνησης χαμηλής τάσης καθιστά αυτή τη συσκευή ιδανική για φορητό εξοπλισμό
● Εύκολα σχεδιασμένα κυκλώματα κίνησης
● Εύκολο στο παράλληλο
● Εφαρμογή:
● Εναλλαγή χαμηλής κατανάλωσης ενέργειας: Ιδανικό για μικρές ηλεκτρονικές συσκευές όπου το συμπαγές μέγεθος και η αποτελεσματικότητα είναι ζωτικής σημασίας.
● Ενίσχυση σήματος: Ιδανικό για κυκλώματα που απαιτούν ακριβή έλεγχο της ροής του σήματος και της ενίσχυσης.
● Διαχείριση ισχύος: Χρήσιμο σε κυκλώματα ρύθμισης ισχύος όπου απαιτείται αποτελεσματική μεταγωγή και ελάχιστη παραγωγή θερμότητας.
● Consumer Electronics: Κατάλληλο για διάφορες ηλεκτρονικές εφαρμογές ευρείας κατανάλωσης που χρειάζονται αξιόπιστη και αποτελεσματική μεταγωγή.
| Όνομα αρχείου | Τίτλος | Περιγραφή |
|---|---|---|
| 2SK3019 SOT-523.pdf | 2SK3019 SOT-523 | - |
| RoHS-1.pdf | RoHS | - |
| REACH.pdf | Το REACH | - |
| Πρόταση-65-Έκθεση-Συμμόρφωσης_2.pdf | Έκθεση Συμμόρφωσης Πρότασης 65_2 | - |
| Πρόταση-65-Έκθεση-Συμμόρφωσης_1.pdf | Έκθεση Συμμόρφωσης Πρότασης 65_1 | - |
Υποστήριξη
Εάν χρειάζεστε υποστήριξη σχεδιασμού/τεχνικής υποστήριξης, ενημερώστε μας και συμπληρώστεΦόρμα ΑπάντησηςΘα επικοινωνήσουμε μαζί σας το συντομότερο δυνατό.
Μακροβιότητα
Το Πρόγραμμα Μακροζωίας στοχεύει στην παροχή πληροφοριών στους πελάτες μας κατά καιρούς σχετικά με τον αναμενόμενο χρόνο παραγγελίας των προϊόντων μας. Το NLP αναθεωρείται και ενημερώνεται τακτικά από την εκτελεστική ομάδα διαχείρισης. Δείτε τοπρόγραμμα μακροζωίαςεδώ.
● Γρήγορη εναλλαγή ● Χαμηλή αντίσταση ενεργοποίησης ● Χαμηλή φόρτιση πύλης
● Δοκιμασμένο 100% για χιονοστιβάδα ● Γρήγορη εναλλαγή ● Βελτιωμένη δυνατότητα dv/dt
● 100% Δοκιμασμένο για χιονοστιβάδα ● Γρήγορη εναλλαγή ● Βελτιωμένη δυνατότητα dv/dt
● Γρήγορη εναλλαγή ● 100% δοκιμασμένο για χιονοστιβάδα ● Βελτιωμένη δυνατότητα dv/dt
● Τεχνολογία Trench Power LV MOSFET ● Υψηλή ισχύς και δυνατότητα διαχείρισης ρεύματος
● Υψηλή ισχύς και δυνατότητα χειρισμού ρεύματος ● Αγορά προϊόντος χωρίς μόλυβδο ● Συσκευασία επιφανειακής τοποθέτησης
● Τεχνολογία Trench Power LV MOSFET ● Σχεδιασμός κυψελών υψηλής πυκνότητας για χαμηλό RDS(ON) ● Εναλλαγή υψηλής ταχύτητας
● Τεχνολογία Trench Power LV MOSFET ● Σχεδιασμός κυψελών υψηλής πυκνότητας για χαμηλό RDS(ON) ● Εναλλαγή υψηλής ταχύτητας
