FDN340P Βελτίωση καναλιού P MOSFET SOT-23

Το MOSFET P-Channel FDN340P σε SOT-23 προσφέρει χαμηλό RDS(on), χαμηλό φορτίο πύλης και αποτελεσματική μεταγωγή για εφαρμογές υψηλής πλευράς σε κυκλώματα με αρνητικές τάσεις.

● Κορυφαία τεχνολογία τάφρων για χαμηλό RDS (ενεργοποίηση) 
● Χαμηλή χρέωση πύλης

Κατεβάστε το δελτίο δεδομένων Ερώτηση

Τα πλεονεκτήματά μας
Οι κινεζικές διαδικασίες παραγωγής έχουν υποστεί επαναλήψεις ετών, με αποτέλεσμα ώριμες και αξιόπιστες τεχνολογίες. Πολλές διεθνείς εταιρείες επιλέγουν την εξωτερική ανάθεση παραγωγής στην Κίνα. Ως κατασκευαστής ηλεκτρονικών εξαρτημάτων στην Κίνα, τα προϊόντα μας μπορούν να αντικαταστήσουν πλήρως αυτά των μεγάλων διεθνών εμπορικών σημάτων στο 99% των εφαρμογών χωρίς να απαιτείται έλεγχος δοκιμών. Τα προϊόντα μας διαθέτουν υψηλή συνέπεια σε ποιότητα, λογικές τιμές, άφθονο απόθεμα, ευέλικτη προσφορά, σύντομους χρόνους παράδοσης και επαγγελματική εξυπηρέτηση μετά την πώληση. 


Γενική περιγραφή

Το FDN340P P-Channel Enhancement MOSFET έχει σχεδιαστεί για να παρέχει αξιόπιστη απόδοση για εφαρμογές μεταγωγής υψηλής πλευράς σε κυκλώματα με αρνητικές τάσεις. Ενσωματωμένο σε μια συμπαγή συσκευασία SOT-23, αυτό το MOSFET προσφέρει αποτελεσματικές δυνατότητες μεταγωγής και χαμηλή απαγωγή ισχύος, καθιστώντας το ιδανική επιλογή για μια ποικιλία ηλεκτρονικών εφαρμογών.

Χαρακτηριστικά

● Κορυφαία τεχνολογία τάφρων για χαμηλό RDS(επί) 

● Χαμηλή φόρτιση πύλης


Εφαρμογές

● Οθόνη βίντεο

● Διαχείριση ενέργειας




Υποστήριξη

Εάν χρειάζεστε υποστήριξη σχεδιασμού/τεχνικής υποστήριξης, ενημερώστε μας και συμπληρώστεΦόρμα ΑπάντησηςΘα επικοινωνήσουμε μαζί σας το συντομότερο δυνατό.


Μακροβιότητα

Το Πρόγραμμα Μακροζωίας στοχεύει στην παροχή πληροφοριών στους πελάτες μας κατά καιρούς σχετικά με τον αναμενόμενο χρόνο παραγγελίας των προϊόντων μας. Το NLP αναθεωρείται και ενημερώνεται τακτικά από την εκτελεστική ομάδα διαχείρισης. Δείτε τοπρόγραμμα μακροζωίαςεδώ.

Σχετικά προϊόντα

SL2301D-正面

SL2301D Βελτίωση καναλιού P MOSFET SOT-23

● Κορυφαία τεχνολογία τάφρων για χαμηλό RDS(on) ● Χαμηλή φόρτιση πύλης

FDN304P-正面

FDN304P Βελτίωση καναλιού P MOSFET SOT-23

● Κορυφαία τεχνολογία τάφρων για χαμηλό RDS(on) ● Χαμηλή φόρτιση πύλης

Slkor FDN340P

SL2P03F Βελτίωση καναλιού P MOSFET SOT-23

● Υψηλή ισχύς και δυνατότητα χειρισμού ρεύματος ● Αγορά προϊόντος χωρίς μόλυβδο ● Συσκευασία επιφανειακής τοποθέτησης

Slkor FDN340P

SL3423 Βελτίωση καναλιού P MOSFET SOT-23

● Διαθέσιμη πράσινη συσκευή ● Εξαιρετική μείωση του φαινομένου CdV/dt ● Προηγμένη τεχνολογία Trench υψηλής πυκνότητας κυψελών

SL2P10A-正面

SL2P10A Βελτίωση καναλιού P MOSFET SOT-23

● Υπερβολικά χαμηλή φόρτιση πύλης ● Εξαιρετική μείωση του φαινομένου Cdv/dt ● Διαθέσιμη πράσινη συσκευή

FDN338P-正面

FDN338P Βελτίωση καναλιού P MOSFET SOT-23

● Κορυφαία τεχνολογία τάφρων για χαμηλό RDS(on) ● Χαμηλή φόρτιση πύλης

FDN302P-正面

FDN302P Βελτίωση καναλιού P MOSFET SOT-23

● Τεχνολογία Trench Power LV MOSFET ● Σχεδιασμός κυψελών υψηλής πυκνότητας για χαμηλό RDS(ON) ● Εναλλαγή υψηλής ταχύτητας

FDN306P-正面

FDN306P Βελτίωση καναλιού P MOSFET SOT-23

● Τεχνολογία Trench Power LV MOSFET ● Σχεδιασμός κυψελών υψηλής πυκνότητας για χαμηλό RDS(ON) ● Εναλλαγή υψηλής ταχύτητας

Γραμμή εξυπηρέτησης

+ 86 0755-83044319

Διαχείριση ενέργειας

Τρανζίστορ

WeChat

Σύνδεση μέσω WeChat