Εμφάνιση τρισδιάστατου μοντέλου
Γραμμή εξυπηρέτησης
+ 86 0755-83044319
● Χαμηλό προφίλ (<1.1 mm)
● Διατίθεται σε ταινία και ρολό
● Γρήγορη εναλλαγή
MOSFET ΧΑΜΗΛΗΣ ΤΑΣΗΣ (P-CHANNEL)
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΌ
● Εξαιρετικά χαμηλή αντίσταση
● P-Channel MOSFET
● SOT-23 Αποτύπωμα
● Χαμηλό προφίλ (<1.1 mm)
● Διατίθεται σε ταινία και καρούλι
● Γρήγορη εναλλαγή
● Χωρίς μόλυβδο
● Χωρίς αλογόνο
● Σήμανση: A2oHB
| Όνομα αρχείου | Τίτλος | Περιγραφή |
|---|---|---|
| IRLML6402 SOT-23.pdf | IRLML6402 SOT-23 | - |
| Πρόταση-65-Έκθεση-Συμμόρφωσης_1.pdf | Έκθεση Συμμόρφωσης Πρότασης 65_1 | - |
| Πρόταση-65-Έκθεση-Συμμόρφωσης_2.pdf | Έκθεση Συμμόρφωσης Πρότασης 65_2 | - |
| REACH.pdf | Το REACH | - |
| RoHS-1.pdf | RoHS | - |
Υποστήριξη
Εάν χρειάζεστε υποστήριξη σχεδιασμού/τεχνικής υποστήριξης, ενημερώστε μας και συμπληρώστεΦόρμα ΑπάντησηςΘα επικοινωνήσουμε μαζί σας το συντομότερο δυνατό.
Μακροβιότητα
Το Πρόγραμμα Μακροζωίας στοχεύει στην παροχή πληροφοριών στους πελάτες μας κατά καιρούς σχετικά με τον αναμενόμενο χρόνο παραγγελίας των προϊόντων μας. Το NLP αναθεωρείται και ενημερώνεται τακτικά από την εκτελεστική ομάδα διαχείρισης. Δείτε τοπρόγραμμα μακροζωίαςεδώ.
● Σχεδιασμός κυψελών υψηλής πυκνότητας για εξαιρετικά χαμηλό Rdson ● Πλήρως χαρακτηρισμένη τάση και ρεύμα χιονοστιβάδας ● Εξαιρετική συσκευασία για καλή απαγωγή θερμότητας
● MOSFET ισχύος TrenchFET
● Σχεδιασμός κυψελών υψηλής πυκνότητας για εξαιρετικά χαμηλό RDS(ON) ● Εξαιρετική αντίσταση ενεργοποίησης και μέγιστη ● ικανότητα ρεύματος DC
● Υψηλή ισχύς και δυνατότητα χειρισμού ρεύματος ● Αγορά προϊόντος χωρίς μόλυβδο ● Συσκευασία επιφανειακής τοποθέτησης
● Υψηλή ισχύς και δυνατότητα χειρισμού ρεύματος ● Αγορά προϊόντος χωρίς μόλυβδο ● Συσκευασία επιφανειακής τοποθέτησης
● Εφαρμογές PVM ● Διακόπτης φορτίου ● Διαχείριση ισχύος
● Χωρίς αλογόνα Σύμφωνα με το lEC 61249-2-21 Διαθέσιμο ●TrenchFET; MOSFET ισχύος
● Υψηλή ισχύς και δυνατότητα χειρισμού ρεύματος ● Αγορά προϊόντος χωρίς μόλυβδο ● Συσκευασία επιφανειακής τοποθέτησης
