SL2301 P-Channel Power MOSFET SOT-23

Το MOSFET καναλιού P έχει ονομαστική τιμή Vds -20V και μέγιστο ρεύμα (Id) -2.8A. Διαθέτει RDS(on) 112mΩ στα 4.5V Vgs και 2.8A Id, με τάση κατωφλίου (Vgs(th)) 1V στα 250μA. Το MOSFET έχει κατανάλωση ισχύος (Pd) 400mW.

● 1.8 V RDSon με ονομαστική τιμή για μονάδα πύλης χαμηλής τάσης
● Πολύ γρήγορη εναλλαγή
●Τεχνολογία MOSFET τάφρου

Κατεβάστε το δελτίο δεδομένων Ερώτηση

λεπτομέρειες προιόντος Απόδειξη με έγγραφα Υποστήριξη

Dπεριγραφής

Ένα τρανζίστορ πεδίου-αποτελέσματος (FET) με λειτουργία ενίσχυσης καναλιού P σε ένα μικρό

SOT23 (TO-236AB) Επιφανειακή συσκευή (SMD) πλαστική συσκευασία με χρήση

Τεχνολογία MOSFET τάφρου.

FΔιατροφικές συνήθειες

●1.8 VR_DSson ονομαστική για χαμηλής τάσης Gate Drive

●Πολύ γρήγορη εναλλαγή

●Τεχνολογία MOSFET τάφρου

Εφαρμογές

●Πρόγραμμα οδήγησης ρελέ

●Οδηγός γραμμής υψηλής ταχύτητας

●Διακόπτης φορτίου υψηλής πλευράς

●Κυκλώματα μεταγωγής

Όνομα αρχείου	Τίτλος	Περιγραφή
SL2301.pdf	SL2301	-
Πρόταση-65-Έκθεση-Συμμόρφωσης_1.pdf	Έκθεση Συμμόρφωσης Πρότασης 65_1	-
Πρόταση-65-Έκθεση-Συμμόρφωσης_2.pdf	Έκθεση Συμμόρφωσης Πρότασης 65_2	-
REACH.pdf	Το REACH	-
RoHS-1.pdf	RoHS	-

Datasheet

Μάθε περισσότερα

Υποστήριξη

Εάν χρειάζεστε υποστήριξη σχεδιασμού/τεχνικής υποστήριξης, ενημερώστε μας και συμπληρώστεΦόρμα ΑπάντησηςΘα επικοινωνήσουμε μαζί σας το συντομότερο δυνατό.

Μακροβιότητα

Το Πρόγραμμα Μακροζωίας στοχεύει στην παροχή πληροφοριών στους πελάτες μας κατά καιρούς σχετικά με τον αναμενόμενο χρόνο παραγγελίας των προϊόντων μας. Το NLP αναθεωρείται και ενημερώνεται τακτικά από την εκτελεστική ομάδα διαχείρισης. Δείτε τοπρόγραμμα μακροζωίαςεδώ.