SL3409 P-Channel Power MOSFET SOT-23

Το MOSFET P-Channel έχει Vdss 30V και μέγιστο Id 2.2A. Το RDS(on) του είναι 130mΩ στα 10V Vgs με Id 2.2A. Η τάση κατωφλίου (Vgs(th)) είναι 2.4V στα 250μA και υποστηρίζει μέγιστη κατανάλωση ισχύος (Pd) 1000mW.

● Χαμηλή φόρτιση πύλης: Το MOSFET διαθέτει χαμηλή φόρτιση πύλης (Qg) 5.2nC στα 10V, εξασφαλίζοντας αποτελεσματική απόδοση μεταγωγής.
● Ανοχή σε υψηλή θερμοκρασία: Με ευρύ φάσμα θερμοκρασίας λειτουργίας από -55°C έως +150°C, είναι κατάλληλο για χρήση σε αντίξοα περιβάλλοντα.
● Χαμηλή χωρητικότητα: Προσφέρει χαμηλή χωρητικότητα εισόδου (Ciss) 490pF και χαμηλή χωρητικότητα αντίστροφης μεταφοράς (Crss) 68pF, η οποία βελτιώνει την απόδοση σε υψηλές συχνότητες.

Κατεβάστε το δελτίο δεδομένων Ερώτηση

λεπτομέρειες προιόντος Απόδειξη με έγγραφα Υποστήριξη

SL3409 P-channel power MOSFET

Χαρακτηριστικός	Σύμβολο	Μέγ.	Μονάδα
Drain-SourceVoltage	BVDSS	-30	V
Gate-SourceVoltage	VGS	20	V
DrainCurrent (συνεχές)	ID	-2.2	A
TotalDeviceDisipation	PD	1000	mW
TA=25℃	PD	1000	mW

Όνομα αρχείου	Τίτλος	Περιγραφή
SL3409.pdf	SL3409	-
SL250N04Q-PDFN56.pdf	SL250N04Q PDFN56	-
Πρόταση-65-Έκθεση-Συμμόρφωσης_1.pdf	Έκθεση Συμμόρφωσης Πρότασης 65_1	-
REACH.pdf	Το REACH	-
Πρόταση-65-Έκθεση-Συμμόρφωσης_2.pdf	Έκθεση Συμμόρφωσης Πρότασης 65_2	-

Datasheet

Μάθε περισσότερα

Υποστήριξη

Εάν χρειάζεστε υποστήριξη σχεδιασμού/τεχνικής υποστήριξης, ενημερώστε μας και συμπληρώστεΦόρμα ΑπάντησηςΘα επικοινωνήσουμε μαζί σας το συντομότερο δυνατό.

Μακροβιότητα

Το Πρόγραμμα Μακροζωίας στοχεύει στην παροχή πληροφοριών στους πελάτες μας κατά καιρούς σχετικά με τον αναμενόμενο χρόνο παραγγελίας των προϊόντων μας. Το NLP αναθεωρείται και ενημερώνεται τακτικά από την εκτελεστική ομάδα διαχείρισης. Δείτε τοπρόγραμμα μακροζωίαςεδώ.