Εμφάνιση τρισδιάστατου μοντέλου
Γραμμή εξυπηρέτησης
+ 86 0755-83044319
● Τεχνολογία Trench Power LV MOSFET.
● Σχεδιασμός κυψελών υψηλής πυκνότητας για χαμηλό RDS(ON).
● Υψηλής ταχύτητας μεταγωγή
Χαρακτηριστικά
● Τεχνολογία Trench Power LV MOSFET.
● Σχεδιασμός κυψελών υψηλής πυκνότητας για Low RDS(ON).
● Εναλλαγή υψηλής ταχύτητας
Εφαρμογή
● Προστασία μπαταρίας
● διαχείρισης ενέργειας
● Διακόπτης φορτίου
| Όνομα αρχείου | Τίτλος | Περιγραφή |
|---|---|---|
| SL4449A SOP-8.pdf | SL4449A SOP-8 | - |
| Πρόταση-65-Έκθεση-Συμμόρφωσης_1.pdf | Έκθεση Συμμόρφωσης Πρότασης 65_1 | - |
| Πρόταση-65-Έκθεση-Συμμόρφωσης_2.pdf | Έκθεση Συμμόρφωσης Πρότασης 65_2 | - |
| REACH.pdf | Το REACH | - |
| RoHS-1.pdf | RoHS | - |
Υποστήριξη
Εάν χρειάζεστε υποστήριξη σχεδιασμού/τεχνικής υποστήριξης, ενημερώστε μας και συμπληρώστεΦόρμα ΑπάντησηςΘα επικοινωνήσουμε μαζί σας το συντομότερο δυνατό.
Μακροβιότητα
Το Πρόγραμμα Μακροζωίας στοχεύει στην παροχή πληροφοριών στους πελάτες μας κατά καιρούς σχετικά με τον αναμενόμενο χρόνο παραγγελίας των προϊόντων μας. Το NLP αναθεωρείται και ενημερώνεται τακτικά από την εκτελεστική ομάδα διαχείρισης. Δείτε τοπρόγραμμα μακροζωίαςεδώ.
● 100% Εγγύηση EAS ● Διαθέσιμη πράσινη συσκευή ● Εξαιρετικά χαμηλή χρέωση πύλης
● Διαθέσιμη πράσινη συσκευή. ● Προηγμένη τεχνολογία τάφρου υψηλής πυκνότητας κυψελών για χαμηλό RDS(ON) ● Εξαιρετική συσκευασία για καλή απαγωγή θερμότητας.
● Τεχνολογία Trench Power LV MOSFET ● Σχεδιασμός κυψελών υψηλής πυκνότητας για χαμηλό RDS(ON) ● Εναλλαγή υψηλής ταχύτητας
● Τεχνολογία Trench Power LV MOSFET ● Σχεδιασμός κυψελών υψηλής πυκνότητας για χαμηλό RDS(ON) ● Εναλλαγή υψηλής ταχύτητας
● Διαθέσιμη πράσινη συσκευή. ● Προηγμένη τεχνολογία τάφρου υψηλής πυκνότητας κυψελών για εξαιρετικά χαμηλό RDS(ON). ● Εξαιρετική συσκευασία για καλή απαγωγή θερμότητας.
● Υψηλή ισχύς και δυνατότητα χειρισμού ρεύματος ● Αγορά προϊόντος χωρίς μόλυβδο ● Συσκευασία επιφανειακής τοποθέτησης
● Τεχνολογία Trench Power LV MOSFET. ● Σχεδιασμός κυψελών υψηλής πυκνότητας για χαμηλό RDS(ON). ● Εναλλαγή υψηλής ταχύτητας
●Τεχνολογία Trench Power MV MOSFET ●Εξαιρετικό πακέτο για απαγωγή θερμότητας ●Σχεδιασμός κυψελών υψηλής πυκνότητας για χαμηλό RDS(ON)
