Η εσωτερική δομή της διόδου ταχείας ανάκτησης είναι διαφορετική από τη συνηθισμένη δίοδο σύνδεσης PN, η οποία ανήκει στη δίοδο διασταύρωσης PIN, δηλαδή, η περιοχή βάσης Ι προστίθεται στη μέση του υλικού πυριτίου τύπου P και του υλικού πυριτίου τύπου Ν για να σχηματιστεί το PIN γκοφρέτα πυριτίου. Επειδή η περιοχή βάσης είναι πολύ λεπτή, η φόρτιση αντίστροφης ανάκτησης είναι πολύ μικρή, επομένως ο χρόνος ανάστροφης ανάκτησης της διόδου γρήγορης ανάκτησης είναι μικρότερος, η πτώση τάσης προς τα εμπρός είναι χαμηλότερη και η αντίστροφη τάση διάσπασης (αντοχή τιμής τάσης) είναι υψηλότερη.