Εναλλακτικό ισοδύναμο για το Infineon IR2103S | Slkor SL2103 Gate Driver lC

Τα πλεονεκτήματά μας

Οι κινεζικές διαδικασίες παραγωγής έχουν υποστεί επαναλήψεις ετών, με αποτέλεσμα ώριμες και αξιόπιστες τεχνολογίες. Πολλές διεθνείς εταιρείες επιλέγουν την εξωτερική ανάθεση παραγωγής στην Κίνα. Ως κατασκευαστής ηλεκτρονικών εξαρτημάτων στην Κίνα, τα προϊόντα μας μπορούν να αντικαταστήσουν πλήρως αυτά των μεγάλων διεθνών εμπορικών σημάτων στο 99% των εφαρμογών χωρίς να απαιτείται έλεγχος δοκιμών. Τα προϊόντα μας διαθέτουν υψηλή συνέπεια σε ποιότητα, λογικές τιμές, άφθονο απόθεμα, ευέλικτη προσφορά, σύντομους χρόνους παράδοσης και επαγγελματική εξυπηρέτηση μετά την πώληση.

Slkor εναλλακτικά ισοδύναμα του Infineon.

Περιγραφή

Το SL2103 είναι ένα πρόγραμμα οδήγησης υψηλής τάσης, υψηλής ταχύτητας ισχύος MOSFET και IGBT με εξαρτώμενα κανάλια εξόδου αναφοράς υψηλής και χαμηλής πλευράς. Οι ιδιόκτητες τεχνολογίες HVIC και latch immune CMOS επιτρέπουν τη στιβαρή μονολιθική κατασκευή. Η λογική είσοδος είναι συμβατή με τυπική έξοδο CMOS ή LSTTL, έως και λογική 3.3 V. Οι οδηγοί εξόδου διαθέτουν μια βαθμίδα προσωρινής αποθήκευσης ρεύματος υψηλού παλμού που έχει σχεδιαστεί για ελάχιστη εγκάρσια αγωγιμότητα του οδηγού. Το πλωτό κανάλι μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την οδήγηση ενός N-καναλιού ισχύος MOSFET ή IGBT στη διαμόρφωση υψηλής πλευράς που λειτουργεί έως και 600 V.

Χαρακτηριστικά

● Πλωτό κανάλι σχεδιασμένο για λειτουργία bootstrap

● Πλήρως λειτουργικό έως +600 V

● Ανεκτικό σε αρνητική παροδική τάση, dV/dt ανοσοποιητικό

● Εύρος τροφοδοσίας κίνησης πύλης από 10 V έως 20 V

● Κλείδωμα υπότασης

● Λογική συμβατότητα 3.3 V, 5 V και 15 V

● Λογική πρόληψης διασταυρούμενης αγωγής

● Αντιστοιχισμένη καθυστέρηση μετάδοσης και για τα δύο κανάλια

● Εσωτερικό καθορισμένο deadtime

● Έξοδος υψηλής πλευράς σε φάση με είσοδο HIN

● Έξοδος χαμηλής πλευράς εκτός φάσης με είσοδο LIN

● RoHS συμβατό

● Συσκευασία SOP-8

Εφαρμογή
● Τροφοδοτικά εναλλαγής λειτουργίας

● Μετατροπείς DC σε DC

● Έλεγχος κινητήρα, ηλιακή ενέργεια

● Δίσκος πύλης για αναδυόμενες συσκευές ισχύος ευρείας ζώνης όπως το GaN