2N7002DW Βελτίωση N-Channel MOSFET SOT-363

MOSFET N-Channel, με 60V Vdss, 800mA Id, 7.5mΩ RDS(ON) και 1V Vgs(th). Ιδανικό για εφαρμογές μεταγωγής χαμηλής τάσης και υψηλής απόδοσης.

● Ιδανικό για εργασίες μεταγωγής και ελέγχου χαμηλής τάσης
● Κατάλληλο για μια ποικιλία εφαρμογών μεσαίου ρεύματος
● Αποδοτική εναλλαγή με ελάχιστη απώλεια ισχύος και παραγωγή θερμότητας

Κατεβάστε το δελτίο δεδομένων Ερώτηση

Τα πλεονεκτήματά μας
Οι κινεζικές διαδικασίες παραγωγής έχουν υποστεί επαναλήψεις ετών, με αποτέλεσμα ώριμες και αξιόπιστες τεχνολογίες. Πολλές διεθνείς εταιρείες επιλέγουν την εξωτερική ανάθεση παραγωγής στην Κίνα. Ως κατασκευαστής ηλεκτρονικών εξαρτημάτων στην Κίνα, τα προϊόντα μας μπορούν να αντικαταστήσουν πλήρως αυτά των μεγάλων διεθνών εμπορικών σημάτων στο 99% των εφαρμογών χωρίς να απαιτείται έλεγχος δοκιμών. Τα προϊόντα μας διαθέτουν υψηλή συνέπεια σε ποιότητα, λογικές τιμές, άφθονο απόθεμα, ευέλικτη προσφορά, σύντομους χρόνους παράδοσης και επαγγελματική εξυπηρέτηση μετά την πώληση. 


Γενική περιγραφή

Το MOSFET N-Channel Enhancement 2N7002DW έχει σχεδιαστεί για εφαρμογές μεταγωγής και ελέγχου υψηλής απόδοσης, προσφέροντας εξαιρετική απόδοση σε ένα συμπαγές πακέτο SOT-363. Με την ικανότητα υψηλής τάσης, τη χαμηλή αντίσταση και τον αξιόπιστο χειρισμό ρεύματος, το 2N7002DW είναι μια ιδανική επιλογή τόσο για καταναλωτικά όσο και για βιομηχανικά ηλεκτρονικά είδη όπου οι περιορισμοί χώρου και η αποτελεσματική διαχείριση ενέργειας είναι ζωτικής σημασίας.


Χαρακτηριστικά

● Ιδανικό για εργασίες μεταγωγής και ελέγχου χαμηλής πλευράς, παρέχοντας αξιόπιστη απόδοση με αποτελεσματικό χειρισμό ισχύος.

● Ικανότητα να αντέχει τάσεις πηγής αποστράγγισης έως 60 V, κατάλληλο για εφαρμογές που απαιτούν μέτρια έως υψηλή ανοχή τάσης.

● Υποστηρίζει συνεχές ρεύμα αποστράγγισης έως και 1A, καθιστώντας το κατάλληλο για μια ποικιλία εφαρμογών μέτριου ρεύματος.

● Διαθέτει χαμηλή αντίσταση ενεργοποίησης 7.5mΩ σε τάση πύλης 5V και ρεύμα αποστράγγισης 50A, εξασφαλίζοντας αποτελεσματική μεταγωγή με ελάχιστη απώλεια ισχύος και παραγωγή θερμότητας.

● Παρέχει οριακή τάση πύλης-πηγής 1V σε ρεύμα αποστράγγισης 250μA, επιτρέποντας την αποτελεσματική μεταγωγή με σχετικά χαμηλή τάση κίνησης πύλης.

● Συσκευασμένο σε ένα συμπαγές αποτύπωμα SOT-363, ιδανικό για σχέδια περιορισμένου χώρου όπου η ελαχιστοποίηση της επιφάνειας της σανίδας είναι απαραίτητη.


Εφαρμογές

● Εναλλαγή χαμηλής πλευράς: Κατάλληλο για εφαρμογές μεταγωγής χαμηλής πλευράς όπου απαιτείται υψηλή απόδοση και αξιόπιστη απόδοση.

● Διαχείριση ενέργειας: Αποτελεσματική σε κυκλώματα διαχείρισης ισχύος, προσφέροντας αποτελεσματικό χειρισμό ισχύος και μειωμένη απαγωγή θερμότητας.

● Consumer Electronics: Ιδανικά για διάφορες ηλεκτρονικές συσκευές ευρείας κατανάλωσης, όπου η απόδοση χώρου και η υψηλή απόδοση είναι ζωτικής σημασίας.





Υποστήριξη

Εάν χρειάζεστε υποστήριξη σχεδιασμού/τεχνικής υποστήριξης, ενημερώστε μας και συμπληρώστεΦόρμα ΑπάντησηςΘα επικοινωνήσουμε μαζί σας το συντομότερο δυνατό.


Μακροβιότητα

Το Πρόγραμμα Μακροζωίας στοχεύει στην παροχή πληροφοριών στους πελάτες μας κατά καιρούς σχετικά με τον αναμενόμενο χρόνο παραγγελίας των προϊόντων μας. Το NLP αναθεωρείται και ενημερώνεται τακτικά από την εκτελεστική ομάδα διαχείρισης. Δείτε τοπρόγραμμα μακροζωίαςεδώ.

Σχετικά προϊόντα

SL8N65F-正面

SL8N65F N-Channel Enhancement MOSFET TO-220F

● Γρήγορη εναλλαγή ● Χαμηλή αντίσταση ενεργοποίησης ● Χαμηλή φόρτιση πύλης

SL13N50FS-正面

SL13N50FS Βελτίωση N-Channel MOSFET TO-220F

● Δοκιμασμένο 100% για χιονοστιβάδα ● Γρήγορη εναλλαγή ● Βελτιωμένη δυνατότητα dv/dt

SL13N45F-正面

SL13N45F N-Channel Enhancement MOSFET TO-220F

● 100% Δοκιμασμένο για χιονοστιβάδα ● Γρήγορη εναλλαγή ● Βελτιωμένη δυνατότητα dv/dt

SL180N03Q-正面

SL180N03Q Βελτίωση N-Channel MOSFET PDFN5x6-8L

● Γρήγορη εναλλαγή ● 100% δοκιμασμένο για χιονοστιβάδα ● Βελτιωμένη δυνατότητα dv/dt

BSS205N-正面

BSS205N N-Channel Enhancement MOSFET SOT-23

● Τεχνολογία Trench Power LV MOSFET ● Υψηλή ισχύς και δυνατότητα διαχείρισης ρεύματος

2N7002-正面

2N7002 N-Channel Enhancement MOSFET SOT-23

● Υψηλή ισχύς και δυνατότητα χειρισμού ρεύματος ● Αγορά προϊόντος χωρίς μόλυβδο ● Συσκευασία επιφανειακής τοποθέτησης

FDV305N-正面

FDV305N N-Channel Enhancement MOSFET SOT-23

● Τεχνολογία Trench Power LV MOSFET ● Σχεδιασμός κυψελών υψηλής πυκνότητας για χαμηλό RDS(ON) ● Εναλλαγή υψηλής ταχύτητας

SL3424-正面

SL3424 N-Channel Enhancement MOSFET SOT-23

● Τεχνολογία Trench Power LV MOSFET ● Σχεδιασμός κυψελών υψηλής πυκνότητας για χαμηλό RDS(ON) ● Εναλλαγή υψηλής ταχύτητας

Γραμμή εξυπηρέτησης

+ 86 0755-83044319

Διαχείριση ενέργειας

Τρανζίστορ

WeChat

Σύνδεση μέσω WeChat