2N7002E Βελτίωση N-Channel MOSFET SOT-23

MOSFET N-Channel σε συσκευασία SOT-23, με 60V Vdss, 300mA Id, 225mW Pd, 3Ω RDS(ON) και 2.5V Vgs(th). Η σειρά παρέχει αποτελεσματικές λύσεις για εφαρμογές μεταγωγής χαμηλής ισχύος και ρεύματος.

● Υψηλή ισχύς και δυνατότητα χειρισμού ρεύματος
● Αποκτάται προϊόν χωρίς μόλυβδο
● Πακέτο επιφανειακής τοποθέτησης

Κατεβάστε το δελτίο δεδομένων Ερώτηση

λεπτομέρειες προιόντος Απόδειξη με έγγραφα Υποστήριξη

Γενικά Χαρακτηριστικά

● V_DS=60V.I_D= 300mA

R_DS(ON)<3Ω@V_GS= 10V

R_DS(ON)<3.5Ω@V_GS= 5V

● Δυνατότητα μεταφοράς υψηλής ισχύος και ρεύματος

● Αποκτάται προϊόν χωρίς μόλυβδο

● Πακέτο επιφανειακής στήριξης

Εφαρμογή

● Εφαρμογές PWM

● Διακόπτης φορτίου

● διαχείρισης ενέργειας

Όνομα αρχείου	Τίτλος	Περιγραφή
2N7002E.pdf	2N7002E	-
Πρόταση-65-Έκθεση-Συμμόρφωσης_1.pdf	Έκθεση Συμμόρφωσης Πρότασης 65_1	-
Πρόταση-65-Έκθεση-Συμμόρφωσης_2.pdf	Έκθεση Συμμόρφωσης Πρότασης 65_2	-
REACH.pdf	Το REACH	-
RoHS-1.pdf	RoHS	-

Datasheet

Μάθε περισσότερα

Υποστήριξη

Εάν χρειάζεστε υποστήριξη σχεδιασμού/τεχνικής υποστήριξης, ενημερώστε μας και συμπληρώστεΦόρμα ΑπάντησηςΘα επικοινωνήσουμε μαζί σας το συντομότερο δυνατό.

Μακροβιότητα

Το Πρόγραμμα Μακροζωίας στοχεύει στην παροχή πληροφοριών στους πελάτες μας κατά καιρούς σχετικά με τον αναμενόμενο χρόνο παραγγελίας των προϊόντων μας. Το NLP αναθεωρείται και ενημερώνεται τακτικά από την εκτελεστική ομάδα διαχείρισης. Δείτε τοπρόγραμμα μακροζωίαςεδώ.