Εμφάνιση τρισδιάστατου μοντέλου
Γραμμή εξυπηρέτησης
+ 86 0755-83044319
● Λειτουργία βελτίωσης
● Επίπεδο λογικής
● αξιολόγηση dv/dt
Χαρακτηριστικά
● N-Channel
● Λειτουργία βελτίωσης
● Επίπεδο λογικής
● αξιολόγηση dv/dt
Σύνοψη προϊόντος
| Vds | 240 | V |
| RDS(ON),μέγιστο | 14 | Ω |
| ID | 0.1 | A |
| Όνομα αρχείου | Τίτλος | Περιγραφή |
|---|---|---|
| 已压缩-BSS131-SOT-23.pdf | （已压缩）BSS131 SOT-23 | - |
| Πρόταση-65-Έκθεση-Συμμόρφωσης_1.pdf | Έκθεση Συμμόρφωσης Πρότασης 65_1 | - |
| Πρόταση-65-Έκθεση-Συμμόρφωσης_2.pdf | Έκθεση Συμμόρφωσης Πρότασης 65_2 | - |
| REACH.pdf | Το REACH | - |
| RoHS-1.pdf | RoHS | - |
Υποστήριξη
Εάν χρειάζεστε υποστήριξη σχεδιασμού/τεχνικής υποστήριξης, ενημερώστε μας και συμπληρώστεΦόρμα ΑπάντησηςΘα επικοινωνήσουμε μαζί σας το συντομότερο δυνατό.
Μακροβιότητα
Το Πρόγραμμα Μακροζωίας στοχεύει στην παροχή πληροφοριών στους πελάτες μας κατά καιρούς σχετικά με τον αναμενόμενο χρόνο παραγγελίας των προϊόντων μας. Το NLP αναθεωρείται και ενημερώνεται τακτικά από την εκτελεστική ομάδα διαχείρισης. Δείτε τοπρόγραμμα μακροζωίαςεδώ.
● MOSFET ισχύος TrenchFET ● ΧΑΜΗΛΟ RDS (ΕΝΕΡΓΟΠΟΙΗΜΕΝΟ). ● Συσκευασία επιφανειακής τοποθέτησης
● Χαμηλή αντίσταση RDS(ON) ● Χαμηλή τάση κατωφλίου πύλης ● Χαμηλή χωρητικότητα εισόδου
● Σχεδιασμός που εξοικονομεί χώρο. ● Αποδοτική λειτουργία. ● Ιδανικό για μικρές εφαρμογές μεταγωγής σήματος.
● Υψηλή ισχύς και δυνατότητα χειρισμού ρεύματος ● Αποκτάται προϊόν χωρίς μόλυβδο ● Συσκευασία επιφανειακής τοποθέτησης ● Συμβατό με RoHS
● Σχεδιασμός εξαιρετικά υψηλού επιπέδου για εξαιρετικά χαμηλό RDS(ON) ● Αυτή είναι μια πλήρης συμμόρφωση με RoHS ● Σχεδιασμός συσκευασίας SOT23-3
● Σχεδιασμός κυψελών υψηλής πυκνότητας για εξαιρετικά χαμηλό Rdson ● Πλήρως χαρακτηρισμένη τάση και ρεύμα χιονοστιβάδας ● Εξαιρετική συσκευασία για καλή απαγωγή θερμότητας
● Τεχνολογία Trench Power MV MOSFET. ● Μικρός διακόπτης σήματος ελεγχόμενος από τάση. ● Χαμηλή χωρητικότητα εισόδου.
● Χειρισμός υψηλού ρεύματος ● Χαμηλή αντίσταση ● Αξιόπιστη εναλλαγή
