Εμφάνιση τρισδιάστατου μοντέλου
Γραμμή εξυπηρέτησης
+ 86 0755-83044319
VZΤύπος-
Ακρίβεια:±5%
PD: 500mW
Υπέρυθρη τάση: 0.1nA@18V.
Τα πλεονεκτήματά μας
Οι κινεζικές διαδικασίες παραγωγής έχουν υποστεί επαναλήψεις ετών, με αποτέλεσμα ώριμες και αξιόπιστες τεχνολογίες. Πολλές διεθνείς εταιρείες επιλέγουν την εξωτερική ανάθεση παραγωγής στην Κίνα. Ως κατασκευαστής ηλεκτρονικών εξαρτημάτων στην Κίνα, τα προϊόντα μας μπορούν να αντικαταστήσουν πλήρως αυτά των μεγάλων διεθνών εμπορικών σημάτων στο 99% των εφαρμογών χωρίς να απαιτείται έλεγχος δοκιμών. Τα προϊόντα μας διαθέτουν υψηλή συνέπεια σε ποιότητα, λογικές τιμές, άφθονο απόθεμα, ευέλικτη προσφορά, σύντομους χρόνους παράδοσης και επαγγελματική εξυπηρέτηση μετά την πώληση.
Περιγραφή
Η MMSZ5252B είναι μια δίοδος Zener συσκευασμένη σε SOD-123, σχεδιασμένη να παρέχει ακριβή σταθεροποίηση τάσης και προστασία κυκλώματος. Χρησιμοποιείται ευρέως σε ηλεκτρονικές συσκευές και συστήματα ισχύος, διαθέτει εξαιρετική σταθερότητα θερμοκρασίας και χαμηλό ρεύμα διαρροής, εξασφαλίζοντας αξιόπιστη λειτουργία σε ένα ευρύ φάσμα θερμοκρασιών.
Χαρακτηριστικά
●Συνολική απαγωγή ισχύος: Μέγ. 500 mW.
●Ευρύ εύρος αντίστροφης τάσης zener 2.4V έως 39V.
●Μικρή πλαστική συσκευασία κατάλληλη για επιφανειακή σχεδίαση.
●Ανοχή περίπου ± 5%.
Εφαρμογές
●Σταθερότητα συστήματος ισχύος
●Προστασία Ηλεκτρονικών Συσκευών
●Βιομηχανικός αυτοματισμός
●Εξοπλισμός Επικοινωνίας
| Όνομα αρχείου | Τίτλος | Περιγραφή |
|---|---|---|
| MMSZ5222B.PDF | MMSZ5222B | - |
Υποστήριξη
Εάν χρειάζεστε υποστήριξη σχεδιασμού/τεχνικής υποστήριξης, ενημερώστε μας και συμπληρώστεΦόρμα ΑπάντησηςΘα επικοινωνήσουμε μαζί σας το συντομότερο δυνατό.
Μακροβιότητα
Το Πρόγραμμα Μακροζωίας στοχεύει στην παροχή πληροφοριών στους πελάτες μας κατά καιρούς σχετικά με τον αναμενόμενο χρόνο παραγγελίας των προϊόντων μας. Το NLP αναθεωρείται και ενημερώνεται τακτικά από την εκτελεστική ομάδα διαχείρισης. Δείτε τοπρόγραμμα μακροζωίαςεδώ.
VZTyp- Ακρίβεια: ±5% PD: 500mW Ir: 3nA@6V
VZTyp- Ακρίβεια: ±5% PD: 500mW Υπέρυθρη: 3nA@6.5V
VZTyp- Ακρίβεια: ±5% PD: 500mW Ir: 3nA@8V
VZTyp- Ακρίβεια: ±5% PD: 500mW Ir: 3nA@8.4V
PD(mW)：500mW VZTyp（V）：12V VZMin(V)：11.4V VZMax(V)：12.6V IZT(mA)：20mA IR(uA)：2uA Package：SOD-123
VZTyp- Ακρίβεια: ±5% PD: 500mW Ir: 1nA@9.9V
PD(mW)：500mW VZTyp（V）：15V VZMin(V)：14.25V VZMax(V)：15.75V IZT(mA)：7.5mA IR(uA)：0.5uA Package：SOD-123
VZTyp- Ακρίβεια: ±5% PD: 500mW Ir: 0.1nA@12V
